Кафедра радиотехники и защиты информации

Кафедра радиотехники и защиты информации

АдресДНР, г. Донецк, пр-т Б. Хмельницкого 106, 7-й корпус, аудитория 7.524 
Телефоны+7 (856) 305-24-55, 337-61-28
E-mailkafedrartzi@mail.ru
Сайтhttp://krzi.fkita.donntu.ru
Карточка преподавателя


Хачатурова Татьяна Александровна

Занимаемая должность (должности):
доцент кафедры РТЗИ

Преподаваемые учебные предметы, курсы, дисциплины (модули):  
1. Криптография и стеганография.
2. Теория вероятности и математическая статистика.
Уровень образования:  
высшее

Наименование направления подготовки и (или) специальности: 
Физика
Квалификация: 
физик-инженер

Ученая степень (при наличии): 
кандидат физико-математических наук

Ученое звание (при наличии): 
нет

Данные о повышении квалификации и (или) профессиональной переподготовке (при наличии): 
1. Удостоверение о повышении квалификации серия QВ № 0120018068 от 28.02.2020, ГОУВПО ДОННТУ "Институт последипломного образования"., тема: "Безопасность жизнедеятельности", 72 час..
2. Удостоверение о повышении квалификации серия QB № 0121008055 от 28.02.2021, ГОУВПО ДОННТУ "Институт последипломного образо-вания", тема: "Педагогика высшей школы", 72 час..
3. Удостоверение о повышении квалификации серия QB № 0121009035 от 04.03.2021, ГОУВПО ДОННТУ "Институт последипломного образо-вания"., тема: "Работа в электронной информационно-образовательной среде образовательных организаций высшего профессионального образования", 72 час.
Общий стаж работы, лет: 
8

Стаж работы по специальности, лет: 
8

Наименование образовательных программ, в реализации которых участвует педагогический работник: 

10.03.01 → Информационная безопасность ;
10.04.01 → Информационная безопасность ;
11.03.01 → Радиотехника ;
11.04.01 → Радиотехника

Основные научные издания: 
1. Хачатурова Т.А. и др. Способ создания источника спинполяризованных электронов. //.
2. Хачатурова Т.А., Хачатуров А.И. Отрицательная дифференциальная проводимость туннельных структур металл-диэлектрик-металл // ЖЭТФ-2010, Т.134, С.1006-1012.
3. Хачатурова Т.А.,Ларкин С.Ю., Хачатурова А.И. Туннельные устройства с двухзонным изолятором на основе нанорахмерных контактов сверхпроводящих и магнитных слоев // Электроника и связь.-2013.- № 1 (72), 9-13.
4. Патент № 86869. Украина МПК G111C 11/00, № u2013 09596; заявл. 31.07.2013; опубл. 10.01.2014, Бюл.№11.
5. С. Г. Рассолов, В. В. Максимов, Т. Н. Моисеева, А. И. Лимановский, Т. А. Хачатурова, В. И. Ткач «Оценка температурно-временной зависимости скорости зарождения, контролирующей формирование нанокомпозитной структуры в аморфных сплавах на основе алюминия» VII Всероссийская конференция c международным участием 6–9 апреля 2016 года г. Ижевск 2016, РФ, C. 131-133.